Dyskretne półprzewodniki węglikowo-krzemowe
Dyskretne półprzewodniki węglikowo-krzemowe firmy Microchip Technology mogą pracować w wysokich temperaturach, co zwiększa niezawodność przy większych gęstościach mocy
Półprzewodniki węglikowo-krzemowe (SiC) firmy Microchip Technology stanowią nowatorską opcję dla projektantów energoelektroniki, którym zależy na wyższej sprawności układów, mniejszych rozmiarach i wyższych temperaturach roboczych w zastosowaniach przemysłowych, motoryzacyjnych i transportowych, obronnych oraz komunikacyjnych. Nowa generacja tranzystorów SiC MOSFET oraz diod barierowych Schottky'ego (SBD) SiC została zaprojektowana z myślą o wyższych parametrach wielokrotnego nieprogowanego przełączania indukcyjnego (UIS) przy znamionowej rezystancji w stanie włączenia lub prądzie. Omawiane tranzystory SiC MOSFET zachowują wysokie parametry UIS w zakresie od 10 do 25J/cm2 i oferują wytrzymałą ochronę przeciwzwarciową. Diody barierowe Schottky'ego (SBD) SiC zostały zaprojektowane pod kątem zrównoważenia parametrów znamionowych prądu udarowego, napięcia przewodzenia, rezystancji cieplnej i pojemności cieplnej przy niskich prądach wstecznych w celu uzyskania niższych strat przełączania. Dodatkowo tranzystory SiC MOSFET oraz diody barierowe Schottky'ego (SBD) można łączyć w pary celem użycia w modułach. Tranzystory SiC MOSFET oraz diody barierowe Schottky'ego (SBD) firmy Microchip będą posiadać kwalifikacje wg normy AEC-Q101.
Charakterystyka
- Skrajnie niskie straty przełączania poprawiające sprawność układu
- Wysoka gęstość mocy umożliwiająca zmniejszenie zajmowanej przestrzeni, wymiarów i ciężaru
- 3x lepsze przewodzenie ciepła niż krzem
- Zmniejszone wymogi stawiane radiatorom zmniejszające rozmiary i ciężar
- Praca w wysokich temperaturach zwiększa niezawodność przy wyższej gęstości mocy
- Sprawdzona niezawodność i wytrzymałość, łańcuch dostaw oraz wsparcie jakości, dostaw i obsługi firmy Microchip
Zastosowania
- Przemysł: napędy silnikowe, spawanie, zasilacze awaryjne (UPS), zasilacze impulsowe (SMPS), ogrzewanie indukcyjne
- Transport i motoryzacja: pojazdy elektryczne (EV), ładowarki baterii, ładowarki wbudowane, układy napędowe hybrydowych pojazdów elektrycznych (HEV), przetwornice prądu stałego, odzysk energii
- Inteligentne źródła energii: falowniki fotowoltaiczne (PV), turbiny wiatrowe
- Medycyna: zasilacze do urządzeń MRI, zasilacze do urządzeń RTG
- Lotnictwo komercyjne: aktuatory, klimatyzacja, rozdział zasilania
- Obronność: napędy silnikowe, zasilacze pomocnicze oraz zintegrowane systemy pojazdów
Diodes - Bridge Rectifiers
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCDC50X701AG | BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A | 0 - Immediate | $377.69 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCDC50H1701AG | BRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50A | 5 - Immediate | $708.61 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSC50DC70HJ | BRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT227 | 5 - Immediate | $165.03 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCDC100H170AG | BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6 | 0 - Immediate | $1,672.17 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCDC200H70AG | BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6 | 2 - Immediate | $930.34 | Wyświetl szczegóły |
Diodes - Rectifiers - Arrays
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSC50DC170HJ | BRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227 | 0 - Immediate | $627.86 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCDC50X1701AG | BRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50A | 0 - Immediate | $1,003.45 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | ![]() | MSCDC100H120AG | BRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP6 | 0 - Immediate | $977.62 | Wyświetl szczegóły |
![]() | MSCDC50X1201AG | BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50A | 5 - Immediate | $417.90 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCDC100H170AG | BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6 | 0 - Immediate | $1,672.17 | Wyświetl szczegóły |
Diodes - Rectifiers - Single
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSC050SDA070BCT | DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3 | 124 - Immediate | $41.90 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSC050SDA120BCT | DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473 | 171 - Immediate | $117.81 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSC030SDA070BCT | DIODE SIL CARB 700V 60A TO247-3 | 0 - Immediate | $23.50 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | ![]() | MSC030SDA120BCT | DIODE SIL CARB 1200V 65A TO2473 | 24 - Immediate | $73.04 | Wyświetl szczegóły |
![]() | MSC050SDA170B | DIODE SIL CARB 1700V 136A TO247 | 58 - Immediate | $152.97 | Wyświetl szczegóły |
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCSM70TAM10CTPAG | MOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-P | 0 - Immediate | $2,504.14 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | ![]() | MSCSM120TAM31CT3AG | MOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3F | 3 - Immediate | $983.88 | Wyświetl szczegóły |
![]() | MSCSM70AM07CT3AG | MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F | 0 - Immediate | $929.69 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCSM120TAM11CTPAG | MOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-P | 0 - Immediate | $2,761.61 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | MSCSM120HM31CT3AG | MOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3F | 0 - Immediate | $693.42 | Wyświetl szczegóły |
Transistors - FETs, MOSFETs – Single
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | MSC035SMA070B4 | TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4 | 30 - Immediate | $41.01 | Wyświetl szczegóły |
![]() | ![]() | MSC025SMA120B | SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3 | 114 - Immediate | $144.10 | Wyświetl szczegóły |
![]() | MSC015SMA070B | SICFET N-CH 700V 131A TO247-3 | 101 - Immediate | $64.20 | Wyświetl szczegóły | |
![]() | ![]() | MSC080SMA120B4 | SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4 | 0 - Immediate | $33.18 | Wyświetl szczegóły |
![]() | MSC70SM120JCU3 | SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227 | 0 - Immediate | $197.46 | Wyświetl szczegóły |


















