Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 41 427
Producent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCODIXX AGCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Seria
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Opakowanie
Digi-Reel®ListwaRurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i skrzynka (TB)Taśma i szpula (TR)TorbaZbiorcze
Status produktu
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
-Kanał NKanał P
Technologia
-GaNFET (azotek galu)GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)MOSFET (tlenek metalu)SiC (tranzystor złączowy z węglika krzemu)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,29mOhm przy 50A, 10V0,3mOhm przy 200A, 10V0,35mOhm przy 50A, 10V0,39mOhm przy 100A, 10V0,4mOhm przy 150A, 10V0,4mOhm przy 30A, 10V0,4mOhm przy 50A, 10V0,42mOhm przy 50A, 10V0,44mOhm przy 88A, 10V0,45mOhm przy 30A, 10V0,45mOhm przy 30A, 7V0,45mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
400mV przy 1mA400mV przy 250µA400mV przy 250µA450mV przy 100µA450mV przy 1mA450mV przy 250µA450mV przy 2mA500mV przy 250µA570mV przy 1mA (typ.)600mV przy 1,2mA600mV przy 1mA600mV przy 1mA (typ.)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
Charakterystyka FET
-Dioda Schottky'ego (izolowana)Dioda Schottky'ego (korpus)Dioda wykrywania temperaturyPomiar natężeniaTryb ograniczenia funkcji
Straty mocy (maks.)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-65°C - 175°C (TJ)-60°C - 175°C (TJ)-55°C - 100°C-55°C - 110°C (TA)-55°C - 125°C-55°C - 125°C (TA)-55°C - 125°C (TJ)-55°C - 135°C (TJ)-55°C - 150°C-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-MotoryzacjaWojskowość
Kwalifikacja
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Obudowa / skrzynia
2-DFN, podkładka odsłonięta3-DFN podkładka odsłonięta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, brak odprowadzenia3-SMD, niestandardowa3-SMD, odprowadzenia płaskie3-SMD, wariant SOT-23-3
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
41 427Wyniki

Wyświetlanie
z 41 427
Porównaj
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
75 747
W magazynie
1 : 0,60000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,10228 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
97 399
W magazynie
1 : 0,68000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,12047 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501 795
W magazynie
1 : 0,76000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,12848 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
376 050
W magazynie
1 : 0,76000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13151 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm przy 50mA, 5V
2,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
204 997
W magazynie
1 : 0,80000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13688 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm przy 220mA, 10V
1,5V przy 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
333 091
W magazynie
58 083 000
Fabryka
1 : 0,84000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14121 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
20 487
W magazynie
1 : 0,84000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,13653 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm przy 100mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
CST3
SC-101, SOT-883
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247 170
W magazynie
1 : 0,88000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14553 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,3V przy 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 628 993
W magazynie
1 : 0,92000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,19241 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm przy 800mA, 4,5V
1V przy 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SSM
SC-75, SOT-416
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 238 193
W magazynie
1 : 0,92000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,09520 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm przy 100mA, 2,5V
1V przy 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
438 578
W magazynie
1 : 0,92000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15803 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm przy 240mA, 10V
2,5V przy 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416 774
W magazynie
1 : 0,92000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15507 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm przy 250mA, 10V
1,5V przy 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
56 579
W magazynie
1 : 0,92000 zł
Taśma cięta (CT)
8 000 : 0,15966 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm przy 10mA, 4V
1,5V przy 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
VESM
SOT-723
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 172 575
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,09200 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,4V przy 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838 307
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16279 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 300mA, 10V
1,5V przy 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C - 150°C (TA)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
447 651
W magazynie
6 990 000
Fabryka
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15940 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał P
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm przy 100mA, 5V
2V przy 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
438 593
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15932 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,4V przy 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
103 305
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,19621 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm przy 500mA, 10V
2,5V przy 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
91 050
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15981 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm przy 240mA, 10V
2,6V przy 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
42 766
W magazynie
1 : 0,96000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,12255 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm przy 200mA, 10V
2,1V przy 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-883
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
727 730
W magazynie
1 : 1,00000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30000 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mOhm przy 6,5A, 4,5V
1V przy 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
3-SMD, wariant SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
630 767
W magazynie
1 : 1,00000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16964 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm przy 200mA, 4,5V
800mV przy 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
424 707
W magazynie
1 : 1,00000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,30000 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
20 V
1,05A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm przy 600mA, 4,5V
570mV przy 1mA (typ.)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
785 941
W magazynie
1 : 1,04000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,17577 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm przy 500mA, 10V
2,1V przy 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Motoryzacja
AEC-Q101
Montaż powierzchniowy
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
501 746
W magazynie
1 : 1,04000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,27960 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektów
Kanał N
MOSFET (tlenek metalu)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mOhm przy 6,5A, 4,5V
900mV przy 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C - 150°C (TJ)
-
-
Montaż powierzchniowy
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Wyświetlanie
z 41 427

Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze


Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.