Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyniki : 41 258
Producent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLC
Seria
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™C3M™
Opakowanie
Digi-Reel®ListwaRurkaSkrzynkaTacaTaśma cięta (CT)Taśma i skrzynka (TB)Taśma i szpula (TR)TorbaZbiorcze
Status produktu
AktywnyNie do nowych projektówNieaktualneOstatnio kupionoProdukt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
-Kanał NKanał P
Technologia
-GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)GaNFET (azotek galu)MOSFET (tlenek metalu)SiC (tranzystor złączowy z węglika krzemu)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
-60 V-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
0,29mOhm przy 50A, 10V0,3mOhm przy 200A, 10V0,35mOhm przy 50A, 10V0,4mOhm przy 150A, 10V0,4mOhm przy 30A, 10V0,4mOhm przy 50A, 10V0,42mOhm przy 50A, 10V0,44mOhm przy 88A, 10V0,45mOhm przy 30A, 10V0,45mOhm przy 30A, 7V0,45mOhm przy 50A, 10V0,45mOhm przy 60A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
-1V przy -250µA0.4V @ 250µA400mV przy 1mA400mV przy 250µA450mV przy 100µA450mV przy 1mA450mV przy 250µA450mV przy 2mA500mV przy 250µA570mV przy 1mA (typ.)600mV przy 1,2mA600mV przy 1mA (typ.)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Charakterystyka FET
-Dioda Schottky'ego (izolowana)Dioda Schottky'ego (korpus)Dioda wykrywania temperaturyPomiar natężeniaTryb ograniczenia funkcji
Straty mocy (maks.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)-65°C - 175°C (TJ)-60°C - 175°C (TJ)-55°C - 100°C-55°C - 110°C (TA)-55°C - 125°C (TA)-55°C - 125°C (TJ)-55°C - 125°C-55°C - 135°C (TJ)-55°C - 150°C (TA)-55°C - 150°C (TJ)-55°C - 150°C
Klasa
-MotoryzacjaWojskowość
Kwalifikacja
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Typ mocowania
-Montaż na podstawie montażowejMontaż powierzchniowyMontaż powierzchniowy, bok zwilżanyOtwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Obudowa / skrzynia
2-DFN, podkładka odsłonięta3-DFN podkładka odsłonięta3-FLGA3-PowerDFN3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, brak odprowadzenia3-SMD, niestandardowa3-SMD, odprowadzenia płaskie3-SMD, płaskie odprowadzenia
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ
41 258Wyniki

Wyświetlanie
z 41 258
Porównaj
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) przy Id
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
Vgs (maks.)
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
Charakterystyka FET
Straty mocy (maks.)
Temperatura robocza
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa dostawcy urządzenia
Obudowa / skrzynia
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
32 894
W magazynie
1 : 0,68000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,11688 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm przy 100mA, 10V2,1V przy 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
554 041
W magazynie
1 : 0,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,13452 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm przy 50mA, 5V2,5V przy 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
76 090
W magazynie
1 : 0,83000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14001 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm przy 220mA, 10V1,5V przy 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
W magazynie
Sprawdź czas realizacji
1 : 0,87000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,14444 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm przy 500mA, 10V2,3V przy 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 496 328
W magazynie
1 : 0,91000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15065 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm przy 100mA, 2,5V1V przy 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaż powierzchniowyEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
701 971
W magazynie
1 : 0,91000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15153 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał PMOSFET (tlenek metalu)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm przy 100mA, 10V2,1V przy 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C - 150°C (TJ)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
499 262
W magazynie
1 : 0,91000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15684 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm przy 240mA, 10V2,5V przy 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 206 037
W magazynie
1 : 0,95000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,12542 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektówKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm przy 500mA, 10V2,4V przy 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
680 330
W magazynie
1 : 0,95000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16296 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektówKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm przy 500mA, 10V2,4V przy 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
480 676
W magazynie
1 : 0,95000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16305 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał PMOSFET (tlenek metalu)50 V130mA (Ta)5V10Ohm przy 100mA, 5V2V przy 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
61 615
W magazynie
1 : 0,95000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,12270 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm przy 100mA, 10V2,1V przy 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowyCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
45 689
W magazynie
1 : 0,95000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,15861 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm przy 240mA, 10V2,6V przy 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 907 046
W magazynie
1 : 0,99000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,17999 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)20 V800mA (Ta)1,5V, 4,5V235mOhm przy 800mA, 4,5V1V przy 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySSMSC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
850 510
W magazynie
1 : 0,99000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16650 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm przy 300mA, 10V1,5V przy 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C - 150°C (TA)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
836 464
W magazynie
1 : 0,99000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,16837 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm przy 200mA, 4,5V800mV przy 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaż powierzchniowyUMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
721 891
W magazynie
1 : 0,99000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,29775 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektówKanał NMOSFET (tlenek metalu)20 V6,5A (Ta)1,8V, 4,5V22mOhm przy 6,5A, 4,5V1V przy 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1,4W (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-33-SMD, wariant SOT-23-3
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
143 860
W magazynie
1 : 1,03000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,17678 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał PMOSFET (tlenek metalu)30 V230mA (Ta)2,5V, 4,5V4,1Ohm przy 200mA, 4,5V1,1V przy 250µA0.72 nC @ 4.5 V±8V46 pF @ 15 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C - 150°C (TJ)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
61 038
W magazynie
1 : 1,03000 zł
Taśma cięta (CT)
10 000 : 0,13497 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V350mA (Ta)5V, 10V2,8Ohm przy 200mA, 10V2,1V przy 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3,1W (Tc)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
842 122
W magazynie
1 : 1,07000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,17980 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm przy 500mA, 10V2,1V przy 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262 405
W magazynie
1 : 1,07000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,17723 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)100 V170mA (Ta)10V6Ohm przy 170mA, 10V2V przy 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
134 199
W magazynie
1 : 1,07000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,17901 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm przy 500mA, 10V2,5V przy 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1 127 236
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,24218 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Nie do nowych projektówKanał PMOSFET (tlenek metalu)30 V3A (Ta)4,5V, 10V95mOhm przy 3A, 10V2,5V przy 250µA8 nC @ 10 V±20V215 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-33-SMD, wariant SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
981 121
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,18875 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm przy 300mA, 10V1,5V przy 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C - 150°C (TA)MotoryzacjaAEC-Q101Montaż powierzchniowySOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
860 253
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,18875 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm przy 500mA, 10V2,5V przy 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowySOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
679 804
W magazynie
1 : 1,11000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 0,18865 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
AktywnyKanał NMOSFET (tlenek metalu)60 V300mA (Tc)10V5Ohm przy 500mA, 10V2,5V przy 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C - 150°C (TJ)--Montaż powierzchniowyTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Wyświetlanie
z 41 258

Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze


Dyskretne tranzystory polowe (FET) są szeroko używane w przekształtnikach mocy, sterowaniu silnikami, oświetleniu półprzewodnikowym i innych zastosowaniach, gdzie wykorzystywane są ich charakterystyczne zdolności przełączania z wysokimi częstotliwościami, przy jednoczesnym przenoszeniu prądów o znacznym natężeniu. Są one używane najczęściej w zastosowaniach wymagających napięć znamionowych do kilkuset woltów. Przy wyższych napięciach korzystniejsze jest stosowanie urządzeń innego typu, np. tranzystorów IGBT.