VideoLibrary

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Optimize your designs with SiC power devices and gate drivers from ROHM, the pioneer and industry leader in SiC technology.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE3 - Immediate$1,166.59Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediate$2,061.53Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE8 - Immediate$2,600.25Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE1 - Immediate$1,635.29Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE2 - Immediate$1,346.04Wyświetl szczegóły
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immediate$1,092.69Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULEBSM600D12P3G001MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE0 - ImmediateSee Page for PricingWyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULEBSM400D12P3G002MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE2 - Immediate$4,556.70Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Immediate$5,019.43Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE0 - Immediate$3,601.44Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULEBSM180D12P2E002MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE4 - Immediate$2,475.99Wyświetl szczegóły
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST244 - Immediate$58.82Wyświetl szczegóły
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4026DW7TL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR638 - Immediate$62.11Wyświetl szczegóły
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7HRTL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR0 - Immediate$42.79Wyświetl szczegóły
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4018KW7TL1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST704 - Immediate$108.15Wyświetl szczegóły
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4062KW7HRTL1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST3669 - Immediate$43.92Wyświetl szczegóły
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4045DW7TL750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR335 - Immediate$42.86Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2680 - Immediate$12.79Wyświetl szczegóły
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEHRC111200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST289 - Immediate$70.86Wyświetl szczegóły
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3529 - Immediate$47.14Wyświetl szczegóły

Related Videos

Tamura Total Solutions
Tamura Total Solutions

Publish Date: 2024-08-20

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Publish Date: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.

Related Articles and Blogs

Obniżenie strat, poprawa sprawności i rozszerzenie zakresu temperatur w zastosowaniach dużej mocy Projektanci mogą stosować tranzystory SiC MOSFET czwartej generacji, aby znacznie poprawić sprawność, obniżyć koszty i zmniejszyć rozmiary obwodów sterujących wysokiego napięcia i dużej mocy.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.