BSM300D12P3E005
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
BSM300D12P3E005
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM300D12P3E005

Numer produktu DigiKey
846-BSM300D12P3E005-ND
Producent
Numer produktu producenta
BSM300D12P3E005
Opis
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Montaż na podstawie montażowej Moduł
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Nieaktualne
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
300A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 91mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
14000pF przy 10V
Moc - maks.
1260W (Tc)
Temperatura robocza
-40°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia
Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia
Moduł
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 6
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
15 019,43000 zł5 019,43 zł
Cena jednostkowa bez VAT:5 019,43000 zł
Cena jednostkowa z VAT:6 173,89890 zł