MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Moduł
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Moduł
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

Numer produktu DigiKey
BSM120D12P2C005-ND
Producent
Numer produktu producenta
BSM120D12P2C005
Opis
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Standardowy czas realizacji przez producenta
22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Moduł
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
BSM120D12P2C005 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
120A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,7V przy 22mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
14000pF przy 10V
Moc - maks.
780W
Temperatura robocza
-40°C - 150°C (TJ)
Obudowa / skrzynia
Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia
Moduł
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
11 346,04000 zł1 346,04 zł
Cena jednostkowa bez VAT:1 346,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:1 655,62920 zł