BSM180D12P2E002
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Numer produktu DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Producent
Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta
BSM180D12P2E002
Opis
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standardowy czas realizacji przez producenta
22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montaż na podstawie montażowej Moduł
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
204A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 35,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
18000pF przy 10V
Moc - maks.
1360W (Tc)
Temperatura robocza
-40°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia
Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia
Moduł
Bazowy numer produktu
BSM180
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 4
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
12 475,99000 zł2 475,99 zł
Cena jednostkowa bez VAT:2 475,99000 zł
Cena jednostkowa z VAT:3 045,46770 zł