MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montaż na podstawie montażowej Moduł
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montaż na podstawie montażowej Moduł
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM080D12P2C008

Numer produktu DigiKey
BSM080D12P2C008-ND
Producent
Numer produktu producenta
BSM080D12P2C008
Opis
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
Standardowy czas realizacji przez producenta
22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montaż na podstawie montażowej Moduł
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
BSM080D12P2C008 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Taca
Status części
Aktywny
Technologia
Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja
2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
80A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 13,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
800pF przy 10V
Moc - maks.
600W
Temperatura robocza
175°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia
Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia
Moduł
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 3
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Taca
Ilość Cena jednostkowa Wartość
11 166,59000 zł1 166,59 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:1 166,59000 zł
Cena jednostkowa z VAT:1 434,90570 zł