



BSM080D12P2C008 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | BSM080D12P2C008-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | BSM080D12P2C008 |
Opis | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 80A (Tc) 600W Montaż na podstawie montażowej Moduł |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | BSM080D12P2C008 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 80A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 13,2mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | - | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 800pF przy 10V | |
Moc - maks. | 600W | |
Temperatura robocza | 175°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | Moduł | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 1 166,59000 zł | 1 166,59 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1 166,59000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1 434,90570 zł |

