Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007-ND
Price: 2535.6819 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSM180D12P3C007
Numer produktu DigiKey	BSM180D12P3C007-ND
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	BSM180D12P3C007
Opis	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montaż powierzchniowy Moduł
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSM180D12P3C007 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,6V przy 50mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	900pF przy 10V
Moc - maks.	880W
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	Moduł
Bazowy numer produktu	BSM180