VideoLibrary

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

ROHM SiC MOSFETs have been adopted in Midnite Solar’s high power charge controllers, inverters, and state-of-the-art inverter/charger systems utilize that demand higher efficiency operation, a robust design, and long operational life.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisKonfiguracja diodyTechnologiaNapięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2471 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V2 - Immediate$80.00Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEWęglik krzemu (SiC)2 kanały N (podwójne)-61 - Immediate$1,195.45Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEWęglik krzemu (SiC)2 kanały N (podwójne)-13 - Immediate$2,022.55Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V12A430 - Immediate$25.96Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V5A982 - Immediate$25.46Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V2,15A1234 - Immediate$10.66Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V10A264 - Immediate$36.45Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V20A390 - Immediate$56.73Wyświetl szczegóły
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N1 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V0 - Immediate$33.53Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N1 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V545 - Immediate$55.01Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-2471 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V450 - Immediate$42.91Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N1 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V450 - Immediate$58.39Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V27 - Immediate$39.39Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V197 - Immediate$40.32Wyświetl szczegóły
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N1 para, wspólna katodaSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V150 - Immediate$95.19Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEWęglik krzemu (SiC)2 kanały N (półmostek)-16 - Immediate$2,551.08Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V8A780 - Immediate$21.51Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V10A0 - ImmediateSee Page for PricingWyświetl szczegóły
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEMOSFET-134 A7 - Immediate$1,281.92Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEWęglik krzemu (SiC)2 kanały N (półmostek)-6 - Immediate$4,924.53Wyświetl szczegóły

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Publish Date: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
BD3430 DAC Chip - MUS-ICT™ Series ROHM’s MUS-ICT series contains the BD3430 DAC chip, a high-grade audio IC.

Related Articles and Blogs

Obniżenie strat, poprawa sprawności i rozszerzenie zakresu temperatur w zastosowaniach dużej mocy Projektanci mogą stosować tranzystory SiC MOSFET czwartej generacji, aby znacznie poprawić sprawność, obniżyć koszty i zmniejszyć rozmiary obwodów sterujących wysokiego napięcia i dużej mocy.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.