VideoLibrary

4th Gen SiC MOSFETs

ROHM’s new 4th generation of MOSFETs utilize an improved trench structure to deliver the industry’s lowest ON resistance, while low switching loss is achieved by significantly reducing parasitic capacitance.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2472 - Immediate$80.00Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE61 - Immediate$1,195.45Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - Immediate$2,022.55Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP430 - Immediate$25.96Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP982 - Immediate$25.46Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP1234 - Immediate$10.66Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP264 - Immediate$36.45Wyświetl szczegóły
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFP390 - Immediate$56.73Wyświetl szczegóły
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N0 - Immediate$37.41Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N545 - Immediate$55.01Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247450 - Immediate$39.75Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N450 - Immediate$58.39Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N27 - Immediate$39.39Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N197 - Immediate$40.32Wyświetl szczegóły
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N150 - Immediate$95.19Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE16 - Immediate$2,551.08Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP780 - Immediate$21.51Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP0 - ImmediateSee Page for PricingWyświetl szczegóły
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - Immediate$1,281.92Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE6 - Immediate$4,924.53Wyświetl szczegóły

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Publish Date: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publish Date: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publish Date: 2023-02-06

Related Product Highlight

4th Generation Silicon Carbide SiC MOSFETs ROHM's 4th generation silicon carbide MOSFETs are designed to deliver unparalleled efficiency and performance in demanding applications.
4th Generation SiC MOSFETs ROHM's 4th generation SiC MOSFETs feature low switching loss and support for 15 V gate-source voltage that contributes to device power savings.
BD3430 DAC Chip - MUS-ICT™ Series ROHM’s MUS-ICT series contains the BD3430 DAC chip, a high-grade audio IC.

Related Articles and Blogs

Obniżenie strat, poprawa sprawności i rozszerzenie zakresu temperatur w zastosowaniach dużej mocy Projektanci mogą stosować tranzystory SiC MOSFET czwartej generacji, aby znacznie poprawić sprawność, obniżyć koszty i zmniejszyć rozmiary obwodów sterujących wysokiego napięcia i dużej mocy.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.
Warunki Informacja dotycząca prywatności Ustawienia plików cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. All Rights Reserved.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member