VideoLibrary

Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Together with our end-to-end #Silicon Carbide (SiC) manufacturing capabilities, onsemi EliteSiC products offer superior performance and exacting quality standards of products.

4/3/2024 5:54:03 PM

1200V

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3NTHL080N120SC1ASICFET N-CH 1200V 31A TO247-3834 - Immediate
123300 - Factory Stock		$47.32Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAKNVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK977 - Immediate$44.54Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3NTHL040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A TO247-31777 - Immediate
9900 - Factory Stock		$80.19Wyświetl szczegóły

1700V

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTBG028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER498 - Immediate$137.40Wyświetl szczegóły
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SERNTH4L028N170M1SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER743 - Immediate
9900 - Factory Stock		$135.46Wyświetl szczegóły

650V

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Immediate
5850 - Factory Stock		$102.96Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL2967 - Immediate
8000 - Factory Stock		$103.03Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1NTHL015N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1490 - Immediate$103.50Wyświetl szczegóły

750V

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SIC MOS TO247-4L 750VNVH4L018N075SC1SIC MOS TO247-4L 750V438 - Immediate
1800 - Factory Stock		$141.79Wyświetl szczegóły

900V

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL203 - Immediate
6750 - Factory Stock		$103.29Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31555 - Immediate
2700 - Factory Stock		$103.76Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNVBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK508 - Immediate$129.02Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK714 - Immediate$104.24Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Immediate
450 - Factory Stock		$50.51Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Immediate$108.70Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NVHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-3163 - Immediate
59400 - Factory Stock		$66.80Wyświetl szczegóły
-NVH4L060N090SC1-1333 - Immediate$58.74Wyświetl szczegóły
SIC MOSFET 900V TO247-4LNVH4L020N090SC1SIC MOSFET 900V TO247-4L449 - Immediate
900 - Factory Stock		$110.24Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3NTHL060N090SC1SICFET N-CH 900V 46A TO247-32173 - Immediate
33300 - Factory Stock		$49.08Wyświetl szczegóły

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Publish Date: 2024-02-15

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC
onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

Publish Date: 2023-04-10

Related Product Highlight

onsemi Energy Storage Solutions onsemi Energy Storage Solutions capture energy produced at one time for use later. It involves converting energy from forms that are difficult to store to more convenient or economically storable forms.
NVHL N-Channel EliteSiC MOSFET onsemi's NVHL N-channel EliteSiC MOSFET provides lightning-fast transitions with superior reliability in a miniature TO-247-3 package.
NVBG EliteSiC MOSFETs onsemi’s NVBG EliteSiC MOSFETs offer high-speed switching and low capacitance in a small package size.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.
Jak zwiększyć sprawność i niezawodność infrastruktury energetycznej przy jednoczesnym obniżeniu kosztów Jak wykorzystać węglik krzemu (SiC) do zwiększenia sprawności i niezawodności instalacji infrastruktury energetycznej, obniżając ślad węglowy i koszty.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.