Name: NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG160N120SC1TR-ND
Price: 54.7842 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

NVBG160N120SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NVBG160N120SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NVBG160N120SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NVBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVBG160N120SC1
Opis	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 19,5A (Tc) 136W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVBG160N120SC1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	224mOhm przy 12A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 2,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	33.8 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	678 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	136W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	NVBG160

Cena jednostkowa bez VAT:	44,54000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	54,78420 zł

NVBG160N120SC1