VideoLibrary

onsemi 2023 Embedded World Interview – EliteSiC

At Embedded World 2023 in the DigiKey booth, Paige West speaks Paul Klausner, Product Marketing Manager at onsemi about how they aim to achieve robust reliability with their EliteSiC product line.

4/10/2023 8:09:30 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NTHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-31555 - Immediate
2700 - Factory Stock		$103.76Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3NVHL020N090SC1SICFET N-CH 900V 118A TO247-3168 - Immediate$108.70Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7NTBG040N120SC1SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7498 - Immediate
76800 - Factory Stock		$81.40Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3NTHL027N65S3HFMOSFET N-CH 650V 75A TO247-3578 - Immediate
10350 - Factory Stock		$82.61Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAKNTBG020N090SC1SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK714 - Immediate$104.24Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3NTHL065N65S3HFMOSFET N-CH 650V 46A TO247-389 - Immediate$46.59Wyświetl szczegóły
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFENTHL067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE371 - Immediate
450 - Factory Stock		$37.41Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5NTH4L075N065SC1SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5414 - Immediate
450 - Factory Stock		$38.98Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L060N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL478 - Immediate
450 - Factory Stock		$50.51Wyświetl szczegóły
SIC MOS TO247-4L 650VNTH4L060N065SC1SIC MOS TO247-4L 650V479 - Immediate
7650 - Factory Stock		$43.88Wyświetl szczegóły
SIC MOS TO247-3L 650VNTHL060N065SC1SIC MOS TO247-3L 650V234 - Immediate
16650 - Factory Stock		$41.80Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4NTH4L040N65S3FMOSFET N-CH 650V 65A TO247-4310 - Immediate
3600 - Factory Stock		$58.34Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3NVHL025N65S3MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3170 - Immediate
1800 - Factory Stock		$78.40Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L020N090SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL203 - Immediate
6750 - Factory Stock		$103.29Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTBG045N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL2617 - Immediate
20000 - Factory Stock		$49.85Wyświetl szczegóły
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200VNTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V1262 - Immediate
37800 - Factory Stock		$71.04Wyświetl szczegóły
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNELNTH4L015N065SC1SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL1599 - Immediate
5850 - Factory Stock		$102.96Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3NTHL065N65S3FMOSFET N-CH 650V 46A TO247-35579 - Immediate
65700 - Factory Stock		$46.01Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAKNTBG020N120SC1SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK1007 - Immediate$133.26Wyświetl szczegóły
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3NTHL020N120SC1SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3467 - Immediate
4500 - Factory Stock		$132.20Wyświetl szczegóły

Related Videos

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Publish Date: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Publish Date: 2024-04-03

Exploring Industrial Drives and Pumps
Exploring Industrial Drives and Pumps

Publish Date: 2024-02-15

Related Product Highlight

onsemi Energy Storage Solutions onsemi Energy Storage Solutions capture energy produced at one time for use later. It involves converting energy from forms that are difficult to store to more convenient or economically storable forms.
NVHL N-Channel EliteSiC MOSFET onsemi's NVHL N-channel EliteSiC MOSFET provides lightning-fast transitions with superior reliability in a miniature TO-247-3 package.
NVBG EliteSiC MOSFETs onsemi’s NVBG EliteSiC MOSFETs offer high-speed switching and low capacitance in a small package size.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.
Jak zwiększyć sprawność i niezawodność infrastruktury energetycznej przy jednoczesnym obniżeniu kosztów Jak wykorzystać węglik krzemu (SiC) do zwiększenia sprawności i niezawodności instalacji infrastruktury energetycznej, obniżając ślad węglowy i koszty.

Related Product Training Modules

SiC Gate Drivers onsemi's NCP51561 isolated dual-channel gate drivers are designed for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.