Name: NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L020N090SC1-ND
Price: 127.0467 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTH4L020N090SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NTH4L020N090SC1-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTH4L020N090SC1
Opis	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 900 V 116A (Tc) 484W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	116A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	28mOhm przy 60A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 20mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	196 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4415 pF @ 450 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	484W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4L
Obudowa / skrzynia	TO-247-4
Bazowy numer produktu	NTH4L02

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 603

Zapas fabryczny: 6 750

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	103,29000 zł	103,29 zł
30	66,90367 zł	2 007,11 zł
120	64,01950 zł	7 682,34 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.