Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 150.5643 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMBG65R007M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMBG65R007M2HXTMA1
Opis	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMBG65R007M2HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 2,97mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 179 nC @ 18 V
Seria CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks.) +23V, -7V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6359 pF @ 400 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 789W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-12
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 238A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V	Bazowy numer produktu IMBG65R007
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,5mOhm przy 146,3A, 18V