
IMBG65R007M2HXTMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMBG65R007M2HXTMA1 |
Opis | SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IMBG65R007M2HXTMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 8,5mOhm przy 146,3A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,6V przy 2,97mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 179 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -7V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6359 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 789W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO263-7-12 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 100,04000 zł | 100,04 zł |
| 10 | 75,21000 zł | 752,10 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 61,44478 zł | 61 444,78 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 100,04000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 123,04920 zł |










