
IMT65R010M2HXUMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMT65R010M2HXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMT65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMT65R010M2HXUMA1 |
Opis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 168A (Tc) 681W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 9,1mOhm przy 92,1A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,6V przy 18,7mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 113 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -7V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4001 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 681W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-HSOF-8-2 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 73,49000 zł | 73,49 zł |
| 10 | 52,64500 zł | 526,45 zł |
| 100 | 50,87880 zł | 5 087,88 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 000 | 41,56754 zł | 83 135,08 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 73,49000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 90,39270 zł |





