Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 53.7879 PLN
Availability: OutOfStock

IGT65R025D2ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGT65R025D2ATMA1
Opis	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 70A (Tc) 236W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGT65R025D2ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™ G5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	70A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30mOhm przy 18A
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 6,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	780 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	236W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN

Cena jednostkowa bez VAT:	43,73000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	53,78790 zł

IGT65R025D2ATMA1