Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 65.805 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IGT65R025D2ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGT65R025D2ATMA1
Opis	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 70A (Tc) 236W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGT65R025D2ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,6V przy 6,1mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 11 nC @ 3 V
Seria CoolGaN™ G5	Vgs (maks.) -10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 780 pF @ 400 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 236W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HSOF-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 70A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 30mOhm przy 18A