Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 233.5524 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Kanał N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMCQ120R005M2HXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies Americas Corp.
Numer produktu producenta	IMCQ120R005M2HXUMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	49 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 5mOhm przy 138,2A, 18V
Prod. Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,1V przy 43,4mA
Seria CoolSiC™ G2	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 261 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +23V, -7V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9760 pF @ 800 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1364W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 342A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-22-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia Moduł 22-PowerBSOP