Name: AIMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 174.906 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Kanał N 840 V 220A (Tc) 789W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-1

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMDQ75R007M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMDQ75R007M2HXTMA1
Opis	AIMDQ75R007M2HXTMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 840 V 220A (Tc) 789W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 27,7mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 164 nC @ 18 V
Seria CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5687 pF @ 500 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 789W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 840 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 220A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-22-1
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,3mOhm przy 126A, 20V	Obudowa / skrzynia Moduł 22-PowerBSOP