Prostowniki SiC

Przełączanie z użyciem diod Schottky’ego ze strukturą węglikowo-krzemową firmy STMicroelectronics pozwala projektantom na uzyskanie wyższych poziomów sprawności i gęstości mocy. Prądy znamionowe diod SiC 650V i 1200V firmy ST obejmują zakres od 2A do 40 A. Grupy te obejmują urządzenia przemysłowe oraz motoryzacyjne posiadające kwalifikację wg normy AEC-Q101, w obudowach do montażu powierzchniowego DPAK HV (wysokie napięcie) oraz D²PAK, a także przewlekanego TO-220AC oraz TO-247LL (długie odprowadzenia).

Grupa diod węglikowo-krzemowych (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) 1200V firmy ST zaspokaja potrzeby projektantów pod względem wysokiej sprawności, niskiej wagi, niewielkich rozmiarów oraz udoskonalonych właściwości termicznych w zastosowaniach wymagających wysokich parametrów pracy.

Diody SiC 1200V firmy ST charakteryzują się doskonałym napięciem przewodzenia (niskie V_F) i wyjątkową wytrzymałością, pozwalają uzyskać wysoką sprawność i niezawodność przy niższych prądach znamionowych, a także niższe koszta, niższą temperaturę roboczą oraz wydłużenie czasu użytkowania w danym zastosowaniu. Idealnie pasują one do wszystkich przemienników i przetwornic przełączających, które wymagają ekstremalnej gęstości mocy i sprawności, takich jak np. zasilacze impulsowe (SMPS) lub awaryjne (UPS), fotowoltaika oraz sterowanie silnikami.

Prądy znamionowe diod SiC 1200V firmy ST obejmują zakres od 2A do 40 A. Grupa ta obejmuje urządzenia przemysłowe oraz motoryzacyjne posiadające kwalifikację wg normy AEC-Q101, w obudowach do montażu powierzchniowego DPAK HV (wysokie napięcie) oraz D²PAK, a także przewlekanego TO-220AC oraz TO-247LL (długie odprowadzenia).

Diody SiC 1200V firmy ST pozwalają zapewnić wysokie standardy zajmując niewiele miejsca.