VideoLibrary

On board Chargers in Electric Vehicles

This video will highlight STs discrete portfolio that addresses requirements for the on board charger (OBC) for electric vehicle.

6/10/2020 1:50:07 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220STPSC20H065CTYDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-22024 - Immediate$25.18Wyświetl szczegóły
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3STPSC20H12CWYDIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3112 - Immediate$51.31Wyświetl szczegóły
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3STPSC20H065CWYDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-31165 - Immediate$27.49Wyświetl szczegóły
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKSTPSC10H065GY-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK1178 - Immediate$15.23Wyświetl szczegóły
SCR 1.2KV 30A TO-247-3TN3050H-12WYSCR 1.2KV 30A TO-247-3555 - Immediate$21.15Wyświetl szczegóły
SCR 1.2KV 30A D2PAKTN3050H-12GY-TRSCR 1.2KV 30A D2PAK319 - Immediate$19.69Wyświetl szczegóły

Related Videos

Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles
Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles

Publish Date: 2020-06-10

STMicroelectronics Automotive-grade Thyristor | DigiKey Daily
STMicroelectronics Automotive-grade Thyristor | DigiKey Daily

Publish Date: 2017-05-03

Related Product Highlight

TN Series High-Temperature SCRs STMicroelectronics' TN series high-temperature SCRs gives headroom for smaller heatsink and higher load control.
Automotive Thyristor, TN3050H-12WY / TN3050H-12GY-TR STMicroelectronics' TN3050H-12WY / TN3050H-12GY-TR automotive-grade 1200 V thyristors rated at 150°C TJ and for 30 A RMS power switching.
900 V K5 MOSFETS Higher power and greater efficiency using the latest 900 V MDmesh™ K5 super-junction MOSFETs from STMicroelectronics.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej w zastosowaniach lotniczych, kosmonautycznych i satelitarnych Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej przynoszą szereg korzyści w konwersji mocy, takich jak zwiększenie gęstości mocy i sprawności, a także zmniejszenie rozmiaru i ciężaru układu.
2023 May be the Year You Try Silicon Carbide: Here’s Why Silicon carbide is coming down in cost and can support the development of smaller and more efficient power conversion solutions compared with silicon.