VideoLibrary

MOSFETs with extraordinary SOA for industrial applications

This video reviews MOSFETs from Nexperia and will explain the SOA for industrial applications.

4/28/2025 5:16:46 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADSPSMN2R6-80YSFXPSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS918 - Immediate$12.92Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56PSMN3R9-100YSFXMOSFET N-CH 100V 120A LFPAK569308 - Immediate$16.95Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN2R0-100SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1469 - Immediate$37.70Wyświetl szczegóły
PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAKPSMN5R5-100YSFXPSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK1113 - Immediate$15.99Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN1R8-80SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1563 - Immediate$37.70Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN015-100YSFXNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1403 - Immediate$7.58Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN9R8-100YSFXNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1919 - Immediate$8.86Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN012-100YSFXNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1014 - Immediate$8.56Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN7R2-100YSFXNEXTPOWER 80/100V MOSFETS152 - Immediate$11.79Wyświetl szczegóły
PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAKPSMN3R3-80YSFXPSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK1605 - Immediate$9.48Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN4R5-80YSFXNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1134 - Immediate$15.23Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN2R8-80SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1990 - Immediate$21.12Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN3R3-100SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS688 - Immediate$21.01Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN2R6-100SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1998 - Immediate$25.36Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80/100V MOSFETSPSMN2R3-80SSFJNEXTPOWER 80/100V MOSFETS1985 - Immediate$25.99Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CHPSMN1R4-100CSFJNEXTPOWER 100 V, 1.35 MOHM, N-CH228 - Immediate$37.15Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHAPSMN1R1-80ASFJNEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA250 - Immediate$38.17Wyświetl szczegóły
NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHAPSMN1R1-80CSFJNEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA250 - Immediate$38.17Wyświetl szczegóły
PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12PSMNR90-80ASEJPSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12886 - Immediate$49.19Wyświetl szczegóły
PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12PSMNR90-80ASFJPSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12932 - Immediate$51.02Wyświetl szczegóły

Related Videos

Why would you need a 500 A MOSFET?
Why would you need a 500 A MOSFET?

Publish Date: 2025-04-28

MOSFET body-diode behaviour, Optimising Qrr & VSD to give efficiency gains & reduced spiking
MOSFET body-diode behaviour, Optimising Qrr & VSD to give efficiency gains & reduced spiking

Publish Date: 2025-04-28

MOSFETs for Power over Ethernet PoE PSE Applications Nexperia Quick Learning
MOSFETs for Power over Ethernet PoE PSE Applications Nexperia Quick Learning

Publish Date: 2025-04-28

Related Product Highlight

NextPower MOSFET Series: High-Efficiency Power Solutions Nexperia NextPower MOSFETs are designed with advanced technology to provide low on-resistance, high current handling, and superior thermal performance.
High-Performance N-Channel MOSFETs Nexperia PSMN047-100NSE/PSMN071-100NSE advanced N-channel ASFETs have robust thermal management capabilities and high efficiency for a variety of applications.
High-Performance N-Channel MOSFETs for Enhanced Efficiency and Reliability Nexperia high-performance N-channel MOSFETs with advanced features are designed for optimal performance in demanding environments.

Related Articles and Blogs

Ocena parametrów działania i sprawności superzłączowych tranzystorów mocy MOSFET Superzłączowe tranzystory mocy MOSFET zapewniają równowagę między parametrami działania, sprawnością i opłacalnością.
Maksymalizacja gęstości mocy i parametrów działania w przetwornicach przełączających z użyciem podwójnych tranzystorów MOSFET Zagadnienia dotyczące projektowania układów termicznych obwodów i płytek drukowanych, symulacji elektrotermicznej oraz analizy strat w celu uzyskania optymalnej gęstości mocy i parametrów działania tranzystorów MOSFET.