SIHP12N60E-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Vishay Siliconix
W magazynie: 891
Cena jednostkowa : 13,07000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,47453 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 67
Cena jednostkowa : 15,73000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,02199 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 602
Cena jednostkowa : 15,01000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 2 052
Cena jednostkowa : 15,84000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 2 299
Cena jednostkowa : 14,83000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 718
Cena jednostkowa : 15,76000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,58972 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 990
Cena jednostkowa : 11,53000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHP12N60E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHP12N60E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHP12N60E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SIHP12N60E-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
58 nC @ 10 V
Seria
Vgs (maks.)
±30V
Opakowanie
Rurka
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
937 pF @ 100 V
Status części
Aktywny
Straty mocy (maks.)
147W (Tc)
Typ FET
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Technologia
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa / skrzynia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Bazowy numer produktu
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
380mOhm przy 6A, 10V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (29)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
SIHP12N60E-BE3Vishay Siliconix891742-SIHP12N60E-BE3-ND13,07000 złBezpośrednie
AOT15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1267-5-ND5,47453 złSimilar
AOT15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.67785-1511-5-ND15,73000 złSimilar
AOT20N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1512-5-ND6,02199 złSimilar
FCP11N60onsemi1 602FCP11N60-ND15,01000 złSimilar
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,07000 zł13,07 zł
506,56540 zł328,27 zł
1005,93420 zł593,42 zł
5004,82768 zł2 413,84 zł
1 0004,47223 zł4 472,23 zł
2 0004,17345 zł8 346,90 zł
5 0003,90500 zł19 525,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:13,07000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,07610 zł