FCP380N60 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCP380N60
Numer produktu DigiKey	FCP380N60-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCP380N60
Opis	MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 10,2A (Tc) 106W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FCP380N60 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SuperFET® II
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	380mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1665 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	106W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	FCP380