
AOT15S65L | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 785-1511-5-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | AOT15S65L |
Opis | MOSFET N-CH 650V 15A TO220 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 15A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17.2 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 841 pF @ 100 V |
Status części Nie do nowych projektów | Straty mocy (maks.) 208W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 290mOhm przy 7,5A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R225C7XKSA1-ND | 11,92000 zł | Similar |
| SIHP12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-E3-ND | 13,07000 zł | Similar |
| SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-GE3-ND | 13,07000 zł | Similar |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | 15,12000 zł | Similar |
| STP15N65M5 | STMicroelectronics | 817 | 497-12936-5-ND | 12,07000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 15,73000 zł | 15,73 zł |
| 10 | 10,33400 zł | 103,34 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,73000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 19,34790 zł |

