IRFB9N60A jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Vishay Siliconix
W magazynie: 4 673
Cena jednostkowa : 13,79000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,91138 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 103
Cena jednostkowa : 11,45000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,28010 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,67000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 945
Cena jednostkowa : 11,85000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 454
Cena jednostkowa : 16,66000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 748
Cena jednostkowa : 8,83000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 523
Cena jednostkowa : 18,10000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,22000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 853
Cena jednostkowa : 13,43000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFB9N60A

Numer produktu DigiKey
IRFB9N60A-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFB9N60A
Opis
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFB9N60A Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
750mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
170W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.