
STP11N65M2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-STP11N65M2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | STP11N65M2 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | STP11N65M2 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 670mOhm przy 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 12.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±25V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 410 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 85W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,83000 zł | 8,83 zł |
| 50 | 4,29100 zł | 214,55 zł |
| 100 | 3,85010 zł | 385,01 zł |
| 500 | 3,07674 zł | 1 538,37 zł |
| 1 000 | 2,82808 zł | 2 828,08 zł |
| 2 000 | 2,61899 zł | 5 237,98 zł |
| 5 000 | 2,39282 zł | 11 964,10 zł |
| 10 000 | 2,27926 zł | 22 792,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,83000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,86090 zł |

