Kanał N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFB9N60APBF

Numer produktu DigiKey
IRFB9N60APBF-ND
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
IRFB9N60APBF
Opis
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 9,2A (Tc) 170W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFB9N60APBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
9,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
750mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
170W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
IRFB9N60
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 4 673
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,17000 zł13,17 zł
506,65000 zł332,50 zł
1006,01690 zł601,69 zł
5004,90730 zł2 453,65 zł
1 0004,55080 zł4 550,80 zł
2 0004,29616 zł8 592,32 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:13,17000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,19910 zł