STP9N60M2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 498
Cena jednostkowa : 8,53000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 5 929
Cena jednostkowa : 13,73000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,68210 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,42040 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,80400 zł
Arkusz danych

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,03000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 5,5A (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP9N60M2

Numer produktu DigiKey
497-13843-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP9N60M2
Opis
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 5,5A (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP9N60M2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
780mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
320 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
16,99000 zł6,99 zł
503,34900 zł167,45 zł
1002,99500 zł299,50 zł
5002,37352 zł1 186,76 zł
1 0002,17360 zł2 173,60 zł
2 0002,00546 zł4 010,92 zł
5 0001,82359 zł9 117,95 zł
10 0001,79935 zł17 993,50 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:6,99000 zł
Cena jednostkowa z VAT:8,59770 zł