STP9N60M2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

AOT10N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 488
Cena jednostkowa : 9,17000 zł
Arkusz danych

Similar

AOT10N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,82496 zł
Arkusz danych

Similar

AOT11N70
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

AOT12N60FDL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

AOT4S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FDP10N60NZ
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FDP12N60NZ
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IRFB9N60APBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 4 673
Cena jednostkowa : 13,17000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFP10N60P
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,69973 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP10N60P
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,43743 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP10N60PM
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,81740 zł
Arkusz danych

Similar

RJK6014DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,08000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 5,5A (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP9N60M2

Numer produktu DigiKey
497-13843-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STP9N60M2
Opis
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 5,5A (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP9N60M2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ II Plus
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
5,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
780mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
320 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
STP9N60
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
16,90000 zł6,90 zł
503,30520 zł165,26 zł
1002,95490 zł295,49 zł
5002,34014 zł1 170,07 zł
1 0002,14242 zł2 142,42 zł
2 0001,97610 zł3 952,20 zł
5 0001,79620 zł8 981,00 zł
10 0001,76771 zł17 677,10 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:6,90000 zł
Cena jednostkowa z VAT:8,48700 zł