TK12A55D(STA4,Q,M) nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,86867 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,99688 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 017
Cena jednostkowa : 9,74000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 819
Cena jednostkowa : 14,75000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 17 824
Cena jednostkowa : 3,87961 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 130
Cena jednostkowa : 18,63000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,08048 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 720
Cena jednostkowa : 9,77000 zł
Arkusz danych
TO-220-3 Full Pack
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK12A55D(STA4,Q,M)

Numer produktu DigiKey
TK12A55D(STA4QM)-ND
Producent
Numer produktu producenta
TK12A55D(STA4,Q,M)
Opis
MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 550 V 12A (Ta) 45W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
550 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
570mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1550 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220SIS
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
112,55000 zł12,55 zł
506,33180 zł316,59 zł
1005,72750 zł572,75 zł
5004,66796 zł2 333,98 zł
1 0004,32758 zł4 327,58 zł
2 0004,19985 zł8 399,70 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:12,55000 zł
Cena jednostkowa z VAT:15,43650 zł