FQPF11N40C onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FQPF11N40C jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 1 437

Cena jednostkowa : 14,42000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 1 014

Cena jednostkowa : 11,71000 zł

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 12,55000 zł

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 32

Cena jednostkowa : 11,31000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQPF11N40C
Numer produktu DigiKey	FQPF11N40CFS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQPF11N40C
Opis	MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 400 V 10,5A (Tc) 44W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQPF11N40C Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	QFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	400 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	530mOhm przy 5,25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1090 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	44W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220F-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	FQPF11