AOTF13N50 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,54000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 32
Cena jednostkowa : 11,31000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 017
Cena jednostkowa : 9,74000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 819
Cena jednostkowa : 14,75000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 17 824
Cena jednostkowa : 3,87961 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 406
Cena jednostkowa : 5,42000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 130
Cena jednostkowa : 18,63000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,08048 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 720
Cena jednostkowa : 9,77000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 38
Cena jednostkowa : 10,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 75
Cena jednostkowa : 11,31000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,71000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 12,55000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 11
Cena jednostkowa : 12,11000 zł
Arkusz danych
TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AOTF13N50

Numer produktu DigiKey
AOTF13N50-ND
Producent
Numer produktu producenta
AOTF13N50
Opis
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 13A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
510mOhm przy 6,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1633 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220F
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0002,99688 zł2 996,88 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:2,99688 zł
Cena jednostkowa z VAT:3,68616 zł