FDPF13N50FT onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDPF13N50FT jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 757

Cena jednostkowa : 19,43000 zł

Similar

Panjit International Inc.

W magazynie: 1 952

Cena jednostkowa : 8,27000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 205

Cena jednostkowa : 14,31000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDPF13N50FT
Numer produktu DigiKey	FDPF13N50FTOS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDPF13N50FT
Opis	MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 12A (Tc) 42W (Tc) Otwór przelotowy TO-220F-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	UniFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	540mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1930 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220F-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	FDPF13