STW34N65M5 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


onsemi
W magazynie: 460
Cena jednostkowa : 31,61000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 262
Cena jednostkowa : 28,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 44
Cena jednostkowa : 24,89000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 790
Cena jednostkowa : 28,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 98
Cena jednostkowa : 19,79000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,05408 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 25,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,82000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 382
Cena jednostkowa : 18,18000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,53013 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 3 889
Cena jednostkowa : 33,57000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STW34N65M5

Numer produktu DigiKey
497-13123-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STW34N65M5
Opis
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta
20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STW34N65M5 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
110mOhm przy 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2700 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
125,39000 zł25,39 zł
3014,61167 zł438,35 zł
12012,23742 zł1 468,49 zł
51010,49775 zł5 353,85 zł
1 02010,47940 zł10 688,99 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:25,39000 zł
Cena jednostkowa z VAT:31,22970 zł