Odpowiednik parametryczny
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPW65R110CFDFKSA1 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 1,3mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 118 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3240 pF @ 100 V |
Status części Nieaktualne | Straty mocy (maks.) 277,8W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO247-3-1 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 110mOhm przy 12,7A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | 5,96000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 7,81000 zł | Similar |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | 6,99000 zł | Similar |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | 7,35000 zł | Similar |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | 5,75000 zł | Similar |







