FCH35N60 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FCH35N60 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

onsemi

W magazynie: 207

Cena jednostkowa : 5,25000 zł

Similar

Microchip Technology

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 7,21186 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 2 230

Cena jednostkowa : 7,51000 zł

Similar

Rohm Semiconductor

W magazynie: 155

Cena jednostkowa : 13,26000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 417

Cena jednostkowa : 7,99000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FCH35N60
Numer produktu DigiKey	FCH35N60-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FCH35N60
Opis	MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 35A (Tc) 312,5W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SuperMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	98mOhm przy 17,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	181 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6640 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	312,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	FCH35