IPW60R125CPFKSA1 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
W magazynie: 430
Cena jednostkowa : 26,89000 zł
Arkusz danych

Similar

FCH104N60F-F085
onsemi
W magazynie: 423
Cena jednostkowa : 26,63000 zł
Arkusz danych

Similar

FCH110N65F-F155
onsemi
W magazynie: 460
Cena jednostkowa : 33,71000 zł
Arkusz danych

Similar

FCH150N65F-F155
onsemi
W magazynie: 262
Cena jednostkowa : 28,76000 zł
Arkusz danych

Similar

STW26NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 325
Cena jednostkowa : 28,61000 zł
Arkusz danych

Similar

STW31N65M5
STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 18,09000 zł
Arkusz danych

Similar

STW33N60DM2
STMicroelectronics
W magazynie: 508
Cena jednostkowa : 22,19000 zł
Arkusz danych

Similar

STW33N60M2
STMicroelectronics
W magazynie: 751
Cena jednostkowa : 21,09000 zł
Arkusz danych

Similar

STW34NM60N
STMicroelectronics
W magazynie: 233
Cena jednostkowa : 39,29000 zł
Arkusz danych

Similar

STW40N65M2
STMicroelectronics
W magazynie: 91
Cena jednostkowa : 23,66000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 25A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPW60R125CPFKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IPW60R125CPFKSA1-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IPW60R125CPFKSA1
Opis
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 25A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IPW60R125CPFKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolMOS™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
25A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
125mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 1,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2500 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
208W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO247-3-1
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
IPW60R125
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
24010,64663 zł2 555,19 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:10,64663 zł
Cena jednostkowa z VAT:13,09535 zł