Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 33.7512 PLN
Availability: OutOfStock

IPW65R099C6FKSA1
Numer produktu DigiKey	IPW65R099C6FKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPW65R099C6FKSA1
Opis	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPW65R099C6FKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	38A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	99mOhm przy 12,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 1,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2780 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	278W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO247-3-1
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IPW65R099

Cena jednostkowa bez VAT:	27,44000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	33,75120 zł

IPW65R099C6FKSA1