
TP65H050G4WS | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1707-TP65H050G4WS-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TP65H050G4WS |
Opis | 650 V 34 A GAN FET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 60mOhm przy 22A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,8V przy 700µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1000 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 119W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 58,45000 zł | 58,45 zł |
| 30 | 36,00467 zł | 1 080,14 zł |
| 120 | 31,09075 zł | 3 730,89 zł |
| 510 | 30,97278 zł | 15 796,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 58,45000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 71,89350 zł |








