
TP65H100G4PS | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1707-TP65H100G4PS-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TP65H100G4PS |
Opis | Hi Volt FETs |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 110mOhm przy 12A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,1V przy 1,8mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 14.4 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 818 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 65,8W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 23,77000 zł | 23,77 zł |
| 50 | 12,60020 zł | 630,01 zł |
| 100 | 11,52070 zł | 1 152,07 zł |
| 500 | 9,63010 zł | 4 815,05 zł |
| 1 000 | 9,02329 zł | 9 023,29 zł |
| 2 000 | 8,75258 zł | 17 505,16 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 23,77000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 29,23710 zł |






