Name: TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H015G5WS-ND
Price: 145.1892 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP65H015G5WS
Numer produktu DigiKey	1707-TP65H015G5WS-ND
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP65H015G5WS
Opis	650 V 95 A GAN FET
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	SuperGaN™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	93A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,8V przy 2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5218 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	266W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 459

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	118,04000 zł	118,04 zł
30	77,36500 zł	2 320,95 zł
120	75,71625 zł	9 085,95 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.