
TP65H150G4PS | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1707-TP65H150G4PS-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TP65H150G4PS |
Opis | GAN FET N-CH 650V TO-220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 180mOhm przy 8,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,8V przy 500µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 8 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 598 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 83W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 29,35000 zł | 29,35 zł |
| 50 | 15,93200 zł | 796,60 zł |
| 100 | 14,63930 zł | 1 463,93 zł |
| 500 | 12,58126 zł | 6 290,63 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 29,35000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 36,10050 zł |









