Name: TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PQS-TR-ND
Price: 46.7769 PLN
Availability: InStock

Kanał N 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLL

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP65H030G4PQS-TR
Numer produktu DigiKey	1707-TP65H030G4PQS-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1707-TP65H030G4PQS-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1707-TP65H030G4PQS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP65H030G4PQS-TR
Opis	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 55.7A (Tc) 192W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLL
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,8V przy 1mA
Prod. Renesas Electronics Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24.5 nC @ 12 V
Seria SuperGaN®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1500 pF @ 400 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 192W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia GaNFET (Tranzystory cascode FET wykorzystujące azotek galu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Obudowa dostawcy urządzenia TOLL
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 55.7A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 12V	Bazowy numer produktu TP65H030
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 41mOhm przy 30A, 12V