Name: GAN039-650NBBHP
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN039-650NBBHPTR-ND
Price: 66.7767 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GAN039-650NBBHP
Numer produktu DigiKey	1727-GAN039-650NBBHPTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1727-GAN039-650NBBHPCT-ND - Taśma cięta (CT) 1727-GAN039-650NBBHPDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Nexperia USA Inc.
Numer produktu producenta	GAN039-650NBBHP
Opis	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Standardowy czas realizacji przez producenta	4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy CCPAK1212
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,6V przy 1mA
Prod. Nexperia USA Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1980 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 250W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 58,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia CCPAK1212
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 12-BESOP (szerokość 0,370", 9,40mm), podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 39mOhm przy 32A, 10V