Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 22.7796 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP65H150G4LSG
Numer produktu DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - Taśma i szpula (TR) 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - Taśma cięta (CT) 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP65H150G4LSG
Opis	GAN FET N-CH 650V PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TP65H150G4LSG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 8,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,8V przy 500µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	598 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	52W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (8x8)
Obudowa / skrzynia	3-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	TP65H150