IXFP8N65X2 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 573
Cena jednostkowa : 12,58000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,17976 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 410
Cena jednostkowa : 7,41000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 2 388
Cena jednostkowa : 13,90000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 626
Cena jednostkowa : 9,43000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 180
Cena jednostkowa : 8,77000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,17000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 717
Cena jednostkowa : 21,97000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,55000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,46121 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFP8N65X2

Numer produktu DigiKey
IXFP8N65X2-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXFP8N65X2
Opis
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
450mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
790 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3006,64360 zł1 993,08 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:6,64360 zł
Cena jednostkowa z VAT:8,17163 zł