STP12N60M2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

AOT7S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

FCP600N60Z
onsemi
W magazynie: 143
Cena jednostkowa : 11,45000 zł
Arkusz danych

Similar

FCP7N60
onsemi
W magazynie: 573
Cena jednostkowa : 12,58000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFP8N65X2
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,64360 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP8N65X2M
IXYS
W magazynie: 11
Cena jednostkowa : 14,86000 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP8N70X2
IXYS
W magazynie: 26
Cena jednostkowa : 18,97000 zł
Arkusz danych

Similar

IXTP8N70X2M
IXYS
W magazynie: 12
Cena jednostkowa : 16,03000 zł
Arkusz danych

Similar

RJK6014DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,08000 zł
Arkusz danych

Similar

SIHP7N60E-E3
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,43696 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP12N60M2

Numer produktu DigiKey
497-16020-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STP12N60M2
Opis
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP12N60M2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ M2
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
450mOhm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
538 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
85W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
STP12
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
18,55000 zł8,55 zł
504,15840 zł207,92 zł
1003,73190 zł373,19 zł
5002,98410 zł1 492,05 zł
1 0002,74367 zł2 743,67 zł
2 0002,54149 zł5 082,98 zł
5 0002,37300 zł11 865,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:8,55000 zł
Cena jednostkowa z VAT:10,51650 zł