Kanał N 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP11N60DM2

Numer produktu DigiKey
497-16932-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STP11N60DM2
Opis
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP11N60DM2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ DM2
Opakowanie
Rurka
Status części
Ostatnio kupiono
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
10A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
420mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
614 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
STP11
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 280
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Data ostatniego zakupu: 10.09.2026
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
18,77000 zł8,77 zł
504,27080 zł213,54 zł
1003,83460 zł383,46 zł
5003,06950 zł1 534,75 zł
1 0002,82360 zł2 823,60 zł
2 0002,61682 zł5 233,64 zł
5 0002,45508 zł12 275,40 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:8,77000 zł
Cena jednostkowa z VAT:10,78710 zł