STP12N65M5 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 573
Cena jednostkowa : 12,58000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,82760 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,58872 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 28 833
Cena jednostkowa : 6,19961 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,64360 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,22380 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 26
Cena jednostkowa : 18,97000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 12
Cena jednostkowa : 16,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,37000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 068
Cena jednostkowa : 10,38000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 8,5A (Tc) 70W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP12N65M5

Numer produktu DigiKey
497-10304-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP12N65M5
Opis
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 8,5A (Tc) 70W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP12N65M5 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
430mOhm przy 4,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
900 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
70W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0004,46121 zł4 461,21 zł
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:4,46121 zł
Cena jednostkowa z VAT:5,48729 zł