STP11N65M5 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 995
Cena jednostkowa : 12,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 143
Cena jednostkowa : 11,45000 zł
Arkusz danych

Similar


Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,19961 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,64360 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,15570 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,22380 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 11
Cena jednostkowa : 14,86000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 26
Cena jednostkowa : 18,97000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 12
Cena jednostkowa : 16,03000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,54514 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 9A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP11N65M5

Numer produktu DigiKey
497-13170-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP11N65M5
Opis
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 9A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP11N65M5 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
480mOhm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
644 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
85W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
19,17000 zł9,17 zł
504,49600 zł224,80 zł
1004,04070 zł404,07 zł
5003,24162 zł1 620,81 zł
1 0002,98476 zł2 984,76 zł
2 0002,76878 zł5 537,56 zł
5 0002,62153 zł13 107,65 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:9,17000 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,27910 zł